Amérika Sarikat ngembangkeun bahan semikonduktor kalawan konduktivitas termal tinggi pikeun ngurangan pemanasan chip.
Kalayan paningkatan jumlah transistor dina chip, kinerja komputasi komputer terus ningkat, tapi dénsitas luhur ogé ngahasilkeun seueur titik panas.
Tanpa téhnologi manajemén termal ditangtoskeun, sajaba slowing turun laju operasi processor na ngurangan reliabiliti, aya ogé alesan pikeun Nyegah overheating sarta merlukeun énergi tambahan, nyieun masalah inefficiency énergi.Pikeun ngabéréskeun masalah ieu, Universitas California, Los Angeles ngembangkeun bahan semikonduktor énggal kalayan konduktivitas termal anu luhur pisan dina taun 2018, anu diwangun ku boron arsenide sareng boron phosphide tanpa cacad, anu sami sareng bahan dissipation panas anu aya sapertos inten jeung silikon karbida.rasio, kalawan leuwih ti 3 kali konduktivitas termal.
Dina Juni 2021, Universitas California, Los Angeles, ngagunakeun bahan semikonduktor anyar pikeun ngagabung sareng cip komputer kakuatan tinggi pikeun suksés ngahambat generasi panas tina chip, ku kituna ningkatkeun kinerja komputer.Tim panalungtikan diselapkeun boron arsenide semikonduktor antara chip sarta tilelep panas salaku kombinasi tina tilelep panas sarta chip pikeun ngaronjatkeun éfék dissipation panas, sarta dilumangsungkeun panalungtikan ngeunaan kinerja manajemén termal tina alat nu sabenerna.
Saatos beungkeutan substrat boron arsenide kana gap énergi lega gallium nitride semikonduktor, éta dikonfirmasi yén konduktivitas termal tina gallium nitride / boron arsenide panganteur éta saluhur 250 MW / m2K, sarta antarbeungeut lalawanan termal ngahontal hiji tingkat pisan leutik.Substrat boron arsenide ieu salajengna digabungkeun jeung chip transistor mobilitas éléktron tinggi canggih diwangun ku aluminium gallium nitride / gallium nitride, sarta eta dikonfirmasi yén éfék dissipation panas nyata hadé ti inten atawa silikon carbide.
Tim peneliti dioperasikeun chip dina kapasitas maksimum, sarta diukur titik panas tina suhu kamar ka suhu pangluhurna.Hasil ékspérimén nunjukkeun yén suhu inten heat sink nyaéta 137 ° C, silikon carbide heat sink nyaéta 167 ° C, sareng boron arsenide heat sink ngan 87 ° C.Konduktivitas termal alus teuing tina panganteur ieu asalna tina struktur pita phononic unik tina boron arsenide sarta integrasi antarbeungeut.Bahan arsenide boron henteu ngan ukur gaduh konduktivitas termal anu luhur, tapi ogé gaduh résistansi termal antarmuka anu alit.
Ieu bisa dipaké salaku tilelep panas pikeun ngahontal kakuatan operasi alat nu leuwih luhur.Diperkirakeun bakal dianggo dina jarak jauh, komunikasi nirkabel berkapasitas tinggi di hareup.Éta tiasa dianggo dina widang éléktronika listrik frekuensi tinggi atanapi bungkusan éléktronik.
waktos pos: Aug-08-2022